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美光的历史:我们的时间线

长期创新之路

美光成立于1978年,当时是一家只有四人的半导体设计公司,位于美国博伊西市的地下室, 爱达荷州, 牙科诊所. 到1980年,我们的第一家制造厂破土动工, 几年后,我们推出了世界上最小的256K 动态随机存取记忆体. In 1994, 我们在财富500强中占有一席之地,并通过我们的技术创新稳步成长为行业领导者, 关键合作伙伴, 以及全球范围内的战略性收购. 看看是哪些里程碑成就了今天的我们.

24gb hbm3e

美光推出全球首款232层NAND芯片,巩固技术领先地位

美光业界领先的232层3D NAND为新一波端到端技术创新奠定了基础. 凭借这一行业首创的232层进步, 微米实现了最佳的工业存储密度, 改进的性能和业界领先的I/O速度. 这有助于开启数字化的新机遇, 客户端优化和自动化, 移动和数据中心市场.

     


2023年了

  • 美光庆祝成立45周年
  • 美光展示了业界首款8高24GB HBM3E内存
  • 美光宣布在印度建立新的半导体组装和测试设施
  • 美光推出内存扩展模块沙巴体育结算平台组合加速CXL 2.采用0
  • 美光开始在博伊西建造领先的内存制造工厂
第一个232层NAND

美光推出全球首款232层NAND芯片,巩固技术领先地位

美光业界领先的232层3D NAND为新一波端到端技术创新奠定了基础. 凭借这一行业首创的232层进步, 微米实现了最佳的工业存储密度, 改进的性能和业界领先的I/O速度. 这有助于开启数字化的新机遇, 客户端优化和自动化, 移动和数据中心市场.

     

50K专利写在黑色和粉红色的背景上

美光获得5万项专利

美光科技的领导地位建立在内存领域的持续创新之上, 存储, 半导体技术及其他领域. 50岁的里程碑,第000项专利反映了美光全球团队成员几十年来的创造力和他们推动创新的奉献精神.


2022年了
  • 美光公司推出了世界上最先进的1-Beta节点动态随机存取记忆体技术
  • 美光投资高达1000亿美元在纽约克莱建造巨型工厂
  • 美光在爱达荷州新厂投资150亿美元
  • 美光推出全球首款232层NAND芯片
  • 美光风险投资基金II承诺为深度科技创业公司投资2亿美元
  • 美光获得5万项专利
四个人穿着实验室的大褂,带着不同的设备走在一边
沙巴体育结算平台采用世界上最先进的动态随机存取记忆体工艺技术制造,并在比特密度方面有重大改进, 功率和性能. 这种新的动态随机存取记忆体技术的应用是广泛而深远的,从移动设备到智能汽车,它都能提高性能.

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推出业界首个1α 动态随机存取记忆体制程技术

1α (1- α)节点动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台采用世界上最先进的动态随机存取记忆体工艺技术制造,并在比特密度方面有重大改进, 功率和性能. 这种新的动态随机存取记忆体技术的应用是广泛而深远的,从移动设备到智能汽车,它都能提高性能.


2021年了

  • 美光在亚特兰大开设设计中心
  • 美光首次发行10亿美元绿色债券
  • 美光在尖端内存和R领域投资了1500多亿美元&D  
  • 美光实现全面的全球薪酬平等
  • 美光推出业界首款1α 动态随机存取记忆体技术
GDDR6X

推出GDDR6X后,存储器首次采用PAM4多级信令

GDDR6X是世界上最快的离散图形存储解决方案, 这是第一个将系统带宽提高到每秒1tb /s的系统。. GDDR6X的多电平信令创新打破了传统的带宽限制, 实现破纪录的速度,同时加快下一代游戏应用程序在复杂图形工作负载上的性能.

     

176层NAND闪存

推出业界首款176层NAND闪存

全球首个176层3D NAND闪存实现前所未有, 行业领先的密度和性能. 在一起, 美光的新176层技术和先进架构代表了一项根本性的突破, 在跨越数据中心的一系列存储用例中实现应用程序性能的巨大提升, 智能边缘和移动设备.


2020年了

  • 美光公司为弱势群体的社区发展拨款5000万美元
  • 美光向受COVID-19大流行影响的全球社区捐赠3500万美元
  • 美光推出全球首款176层NAND闪存
2019年了
  • 《沙巴体育结算平台》将美光公司列入其多元化最佳雇主名单
  • 美光收购FWDNXT
  • 美光宣布在日本广岛建立先进技术动态随机存取记忆体中心
四电平单元NAND 固态硬盘

美光推出业界首款四能级单元NAND固态硬盘

美光开始出货业界首款采用革命性四能级单元(QLC) NAND技术的固态硬盘. 美光®5210 ION固态硬盘的比特密度比三层单元(TLC) NAND高33%, 以前使用硬盘驱动器(hdd)服务的寻址段.


2018年了

  • 美光获得首个卓越工作场所®认证
  • 美光庆祝40周年:40年强大,更强
  • 美光宣布拨款100万美元,以促进对人工智能的好奇心
  • 美光在弗吉尼亚州马纳萨斯建立了长生命周期沙巴体育结算平台卓越中心
展示不同的物联网设备

美光宣布面向物联网设备的Authenta™安全技术

微米®Authenta™技术有助于在闪存中实现强大的加密物联网设备身份和健康管理, 为物联网设备软件的最底层提供独特的保护级别, 从引导过程开始.

     

NVDIMM

微米将NVDIMM的容量加倍至32GB

美光将其DDR4 nvdimm内存的密度提高到了32GB, 容量是以前解决方案的两倍. nvdimm,也被称为永久存储器,即使在断电后也可以永久地将数据存储在动态随机存取记忆体中. 美光32GB NVDIMM-N模块提供高容量和非常快的吞吐量.


2017年了

  • 美光在台湾建立了大容量动态随机存取记忆体卓越中心.
  • 美光在博伊西建立卓越技术创新中心
  • 美光被评为多样性100强创新者 & Mogul的加入
GPU

美光推出全球最快的图形动态随机存取记忆体 GDDR5X

这是有史以来最高的记忆, 每引脚数据速率可实现大规模图形性能和GPGPU计算能力. GDDR5X提供高达14Gb/s的数据速率,基本上是之前GDDR5内存带宽的两倍.

     

微米512闪光灯

美光成立Xccela™联盟推广新型接口总线

Xcella™行业联盟的创建有助于加速Xccela总线接口的采用, 一种适用于易失性和非易失性存储器的新型高性能数字互连.


2016年了

  • 美光收购intera记忆公司
  • 根据员工的意见,美光评选出了最受欢迎的财富500强公司之一
  • 美光在新加坡建立了NAND卓越中心
3D NAND闪存

美光和英特尔推出3D NAND,有史以来开发的最高密度闪存

3D NAND标志着半导体未来的一个重要转折点. 通过垂直堆叠数据存储单元层, 3D NAND的容量是平面NAND技术的三倍.

     

3 d XPoint

美光和英特尔宣布3 d XPoint™技术

3 d XPoint代表了几十年来第一个新的内存类别. 这种非易失性存储器最多可达1,快了1000倍,最多有1个,耐久性是NAND的1000倍.


2015年了

  • 美光在《沙巴体育结算平台》杂志评选的雇主50强中排名第一
  • 美光收购Tidal Systems
  • 美光收购康威电脑公司
  • 美光收购Pico Computing
8Gb DDR3 S动态随机存取记忆体

美光率先推出单片8Gb DDR3 S动态随机存取记忆体

这个单一组件在单个芯片上提供了显著的密度增加到1gb. 这种更高的密度使成本效益更高, 为支持大规模而优化的高容量解决方案, 数据密集型工作负载.

     

世界上最小的16nm NAND闪存器件

美光推出全球最小的16nm NAND闪存器件

美光的16nm工艺技术在单个芯片上提供了16GB的存储空间, 有史以来密度最高的平面NAND闪存. 使用这种工艺,单个300mm晶圆可以创建近6TB的存储空间.

     


2013年了

  • 美光收购尔必达内存公司. 和Rexchip电子公司
第一个2.5英寸PCIe企业固态硬盘

美光生产行业首个2.5英寸PCIe企业固态硬盘

该解决方案结合了高性能PCI Express接口和热插拔接口.5英寸的外形和定制的美光控制器, 为企业性能可伸缩性和可服务性创建新的选项.

     

动态随机存取记忆体

美光为Ultrabook™设备推出新型低功耗动态随机存取记忆体

DDR3L-RS存储器开创了“低功耗”动态随机存取记忆体解决方案的新类别, 为新一代高性能提供更长的电池寿命, 超薄设备,比如笔记本电脑, 平板电脑, 和超级本系统.
*Ultrabook是英特尔公司或其在美国的子公司的商标.S. 和/或其他国家.

  • 美光庆祝成立45周年
  • 美光展示了业界首款8高24GB HBM3E内存
  • 美光宣布在印度建立新的半导体组装和测试设施
  • 美光推出内存扩展模块沙巴体育结算平台组合加速CXL 2.采用0
  • 美光开始在博伊西建造领先的内存制造工厂
指尖上的第一个20nm MLC NAND

美光和英特尔宣布全球首款20nm MLC NAND

这款128Gb的MLC内存可以在一个只有8个芯片的指尖大小的封装中存储1Tb的数据, 设定新的存储基准. 另外, 该存储器是第一个使用创新的平面单元结构,克服了标准浮动门NAND的缩放限制.

     

混合内存立方体

美光首次推出混合内存立方体(HMC)架构

混合内存立方体(HMC)是一种革命性的动态随机存取记忆体架构,它结合了高速逻辑和使用硅通孔(TSV)技术的内存芯片堆栈. HMC的经验将继续应用于未来的新兴存储技术.

2010年了
  • 美光收购NOR制造商Numonyx B.V. 来自英特尔,意法半导体,N.V. 和Francisco 合作伙伴
固态硬盘

美光推出业界最快的客户端固态硬盘Real固态硬盘™C300

在发布时,C300是业界最快的笔记本电脑和台式电脑固态硬盘. 支持SATA III接口, 这款固态硬盘提供了6gb /s的数据传输速度,大大提高了数据传输的吞吐速度, 应用程序加载和启动时间.

     

2008年了
  • 美光与南亚成立动态随机存取记忆体合资企业intera Memories
  • 美光庆祝成立45周年
  • 美光展示了业界首款8高24GB HBM3E内存
  • 美光宣布在印度建立新的半导体组装和测试设施
  • 美光推出内存扩展模块沙巴体育结算平台组合加速CXL 2.采用0
  • 美光开始在博伊西建造领先的内存制造工厂
第一个双螺距NAND

美光开发出业界首个双间距NAND

介绍了一种在不改变光刻技术的情况下提高比特密度的刻距倍增技术. 这种方法涉及将钻头线分离为第一和第二金属层, 允许美光在现有的50nm技术上提供16Gb的MLC器件.

     

低功耗RL动态随机存取记忆体 2内存

美光公司推出低延迟、低功耗RL动态随机存取记忆体 2内存

最初是为网络设计的, 这种高性能动态随机存取记忆体迅速成为一种意想不到的应用的首选解决方案:基于dlp的电视和投影仪. 虽然密度随着时间的推移而增加, 动态随机存取记忆体仍然是当今网络应用的主要组成部分.

     

40nm以下的NAND闪存

美光和英特尔首次推出低于40纳米的NAND闪存

这种多级单元(MLC) NAND闪存器件是业界首款单片32Gb NAND, 使高密度固态存储在非常小的外形因素的设备, 包括数码相机, 个人音乐播放器和数码摄像机.

     

  • 美光庆祝成立45周年
  • 美光展示了业界首款8高24GB HBM3E内存
  • 美光宣布在印度建立新的半导体组装和测试设施
  • 美光推出内存扩展模块沙巴体育结算平台组合加速CXL 2.采用0
  • 美光开始在博伊西建造领先的内存制造工厂
穿着蓝色长袍工作的妇女

美光开发猫鼬测试仪,提高精度,降低成本

这款内部开发的测试仪由美光公司专门用于提高动态随机存取记忆体测试的吞吐量和准确性. 美光继续发展这一测试平台,以满足新的和未来的内存标准.

     

微米16gb DDR2

美光推出全球密度最高的服务器内存模块

随着虚拟化技术的兴起,将多个应用程序打包到单个服务器上,美光的16GB DDR2模块满足了2000年代快速增长的服务器内存需求. 这些高密度的服务器模块是一种趋势,今天仍在继续.


2006年了
  • 美光收购Lexar Media
LP动态随机存取记忆体

美光推出高容量、低功耗移动LP动态随机存取记忆体

美光的16MB 动态随机存取记忆体——建立在一个很小的33mm2芯片上——在很小的空间内实现了更高的容量和更低的功耗. 随着手机从简单的语音过渡到多媒体, LP动态随机存取记忆体需求急剧增加, 这一趋势在今天的智能手机中仍在继续.

     


2005年了
  • 美光和英特尔成立了一家NAND合资企业IM Flash Technologies
手机的伪静态内存
沙巴体育结算平台铺平了道路.

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美光推出手机伪静态内存

伪静态静态存储器 (P静态存储器)提供高带宽, 在移动设备中取代静态存储器所需的容量和低功耗. 美光在P静态存储器领域的领先地位为未来用于移动设备的低功耗动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台铺平了道路.

     

动态随机存取记忆体单元

美光开发出业界首款6F芯片2 动态随机存取记忆体单元

美光开发了一款全新的6F2 电池架构,以取代业界的8F2 单元标准,使每个晶圆的比特数增加约25%. 这种高密度的设计使美光重新获得了业界最具成本竞争力的存储器生产商的称号.


2004年了
  • 美光推出首款2gb NAND闪存沙巴体育结算平台
图像传感器

微米开发1.300万像素CMOS图像传感器

美光进入图像传感器领域,使该公司成为能够制造具有图像质量可与电荷耦合器件(CCD)传感器相媲美的CMOS技术的创新者. 今天, CMOS传感器是所有类型数码相机的标准配置, 从智能手机到高端专业装备.

     

第一个1gb DDR

美光展示业界首个110nm制程1gb DDR

美光的1Gb DDR采用了世界上最先进的工艺技术(110nm)。, 超过了仍在130纳米制程的半导体巨头英特尔和AMD. 这款芯片使美光在密度和接口性能方面都成为存储器行业的领导者.

     


2002年了

  • 美光展示全球首款1gb DDR 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台
  • 美光收购东芝在Dominion Semiconductor的商品动态随机存取记忆体业务, 有限责任公司, 日本东芝公司的子公司, 位于马纳萨斯, 维吉尼亚州
静态存储器

美光的四数据速率静态存储器将内存带宽加倍

美光创新的四数据速率(QDR)架构有效地将静态存储器带宽提高了一倍,用于交换机和路由器等通信应用. 这种独特的设计使用两个端口以两倍的数据速率独立运行, 每个时钟周期产生4个数据项.

第一DDR 动态随机存取记忆体

美光生产业界首款DDR 动态随机存取记忆体

美光展示的武士双数据速率(DDR)芯片组证明,DDR内存可以提供与竞争对手Direct R动态随机存取记忆体解决方案相当的性能, 但成本要低得多. 最终,DDR将成为高性能动态随机存取记忆体无可争议的行业标准接口.

     


1999年了

  • 美光基金会的成立是为了推进STEM教育和支持社区.
1998年了
  • 美光收购德州仪器全球存储业务后,成为全球最大的存储器生产商之一
Windows 3.1桌面

美光16mb 动态随机存取记忆体支持新Windows 3电脑.1

16兆动态随机存取记忆体取代了美光的主流4兆动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台线,这是密度上的一个里程碑. 这些更高容量的芯片恰逢微软发布Windows 3.这使得PC的最小内存需求达到了1兆字节.

     

首批RAM沙巴体育结算平台
沙巴体育结算平台组合,超越了传统的动态随机存取记忆体, 使美光成为差异化内存类型的参与者.

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美光推出首款视频RAM和快速静态RAM沙巴体育结算平台

256K视频RAM和快速静态RAM的引入扩大了美光的沙巴体育结算平台组合,超越了传统的动态随机存取记忆体, 使美光成为差异化内存类型的参与者.

     

1兆动态随机存取记忆体

美光1兆动态随机存取记忆体上市

密度的里程碑, 在20世纪80年代末和90年代,1Mb的动态随机存取记忆体成为个人电脑和显卡的主要内存. 美光的1Mb 动态随机存取记忆体使高容量SIMM模块能够支持安装微软新Windows操作系统的个人电脑.

     


1987年了

  • 美光推出1兆动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台
最小的256k 动态随机存取记忆体芯片

美光推出全球最小的256K 动态随机存取记忆体芯片

除了作为世界上最小的256K 动态随机存取记忆体芯片推出之外, 这款芯片也代表了动态随机存取记忆体密度的行业里程碑. 通过使用更大更容易读取的存储单元, 256K 动态随机存取记忆体是这家年轻的内存初创公司提高未来效率和盈利能力的跳板.

     


1984年了

  • 美光推出全球最小的256K 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台
  • 美光成为纳斯达克上市公司
首款64K 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台
沙巴体育结算平台, 爱达荷州. 美光将其64K 动态随机存取记忆体卖给了许多首批量产的个人电脑, 包括Commodore 64家用电脑.

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美光推出首款64K 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台

美光公司的64K 动态随机存取记忆体是该公司在博伊西新建成的制造工厂生产的第一款沙巴体育结算平台, 爱达荷州. 美光将其64K 动态随机存取记忆体卖给了许多首批量产的个人电脑, 包括Commodore 64家用电脑.

     


1981年了

  • 首款64K 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台出货
1980年了
  • 美光在爱达荷州博伊西的第一个制造基地破土动工
美光工程师设计64K 动态随机存取记忆体设计
沙巴体育结算平台的大批量生产.

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美光工程师完成64K 动态随机存取记忆体设计

虽然不是第一家生产64K 动态随机存取记忆体的公司, 美光的工程师创造了一种新的, 更小的版本被誉为世界上最小的64K 动态随机存取记忆体设计. 这种创新的设计导致该公司在1981年的第一个64K沙巴体育结算平台的大批量生产.

     

4微米的创始人握着彼此的手

美光科技成立

美光成立之初只是一家位于博伊西市地下室的四人半导体设计公司, 爱达荷州牙科诊所. 美光的第一份合同是为Mostek公司设计64K内存芯片.

     


1978年了

  • 美光科技有限公司.成立于10月10日. 5, 1978